近年來(lái)，在國(guó)家政策和資金支持下，我國(guó)大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體，各地方政府掀起了不斷加碼，尤其是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)或?qū)?xiě)
入“十四五規(guī)劃”的消息更是進(jìn)一步推動(dòng)了該領(lǐng)域的投資熱潮，項(xiàng)目開(kāi)工、企業(yè)布局等不斷涌現(xiàn)...
1、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)或?qū)?xiě)入“十四五規(guī)劃”
2020年9月，有消息稱(chēng)我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫(xiě)入正在制定中的“十四五”規(guī)劃，計(jì)劃在2021-2025年期間，
在教育、科研、開(kāi)發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主。
2、長(zhǎng)沙三安160億第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開(kāi)工
2020年7月20日，投資160億元，占地面積1000畝的“三安光電第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園”，在長(zhǎng)沙高新區(qū)啟動(dòng)開(kāi)工建設(shè)。該產(chǎn)業(yè)園主
要用于建設(shè)具自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。這里，也將誕生我國(guó)首條碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)線。
3、Cree推進(jìn)建造全球最大SiC器件制造工廠
2020年8月，Cree（科銳）宣布推進(jìn)從硅 (Si) 向碳化硅 (SiC) 的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型?？其J于2019年9月宣布將在美國(guó)紐約州 Marcy
建造一座全新的采用最先進(jìn)技術(shù)并滿(mǎn)足車(chē)規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的 200 mm 碳化硅（SiC）功率和射頻（RF）制造工廠。該工廠目前已經(jīng)完成
基礎(chǔ)工程施工，并開(kāi)始主體工程施工。
4、華為投資入股北京天科合達(dá)等
2020年華為哈勃先后投資入股了國(guó)內(nèi)三家化合物半導(dǎo)體企業(yè)，分別為：北京天科合達(dá)，持股比例4.82%；寧波潤(rùn)華全芯微電子，
投資數(shù)額約214.29萬(wàn)元，投資比例占6.31%；瀚天天成，認(rèn)繳出資977.2萬(wàn)元。
5、全球最大氮化鎵工廠進(jìn)入量產(chǎn)階段
2020年9月，英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地舉行設(shè)備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地開(kāi)始由廠房建設(shè)階段進(jìn)
入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，標(biāo)志著全球最大氮化鎵工廠正式建設(shè)完成。該項(xiàng)目建成后，滿(mǎn)產(chǎn)可實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓65000片。
6、臺(tái)積電與意法半導(dǎo)體合作，加快GaN技術(shù)開(kāi)發(fā)
2020年2月，臺(tái)積電宣布與意法半導(dǎo)體合作加速市場(chǎng)采用氮化鎵產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體此前預(yù)計(jì)在2020年將首批樣品交給其主要客戶(hù)。
透過(guò)此合作，意法半導(dǎo)體將采用臺(tái)積公司的氮化鎵制程技術(shù)來(lái)生產(chǎn)其氮化鎵產(chǎn)品。
7、日本研發(fā)長(zhǎng)晶新技術(shù)，1小時(shí)可制成優(yōu)質(zhì)GaN基底
8、穩(wěn)懋投850億新臺(tái)幣建廠
9、比亞迪規(guī)劃自建SiC產(chǎn)線
比亞迪半導(dǎo)體產(chǎn)品總監(jiān)楊欽耀表示，比亞迪車(chē)規(guī)級(jí)的IGBT已經(jīng)走到5代，碳化硅MOSFET已經(jīng)走到3代，第4代正在開(kāi)發(fā)當(dāng)中。目前在
規(guī)劃自建SiC產(chǎn)線，預(yù)計(jì)到2021年有自己的產(chǎn)線。
10、露笑科技第三代功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園開(kāi)工
2020年11月，露笑科技在合肥投建的的第三代功率半導(dǎo)體（碳化硅）產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目開(kāi)工，項(xiàng)目總投資為人民幣100億元。主要建設(shè)國(guó)際
領(lǐng)先的第三代功率半導(dǎo)體(碳化硅)的設(shè)備制造、長(zhǎng)晶生產(chǎn)、襯底加工、外延制作等產(chǎn)業(yè)鏈的研發(fā)和生產(chǎn)基地。
