第三代半導體碳化硅功率器件具有耐壓高、耐溫高和能量轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)勢，在新能源汽車、光伏發(fā)電和軌道交通等諸多領域具有廣闊的應用前景。我國的碳化硅產(chǎn)業(yè)尚處于核心技術(shù)攻關的發(fā)展階段，國產(chǎn)化進程迫在眉睫。針對碳化硅功率器件研發(fā)“卡脖子”難題及實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的挑戰(zhàn)，長沙市岳麓山大學科技城管理委員會組織實施的第二批核心技術(shù)攻關“揭榜掛帥”《大功率碳化硅MOSFET及SBD芯片技術(shù)研究》項目，由瀏陽泰科天潤半導體技術(shù)有限公司發(fā)榜，湖南大學和東莞天域半導體股份有限公司共同揭榜，多方合作進行技術(shù)攻關。

該項目已經(jīng)實施一年有余，目前進展順利，階段性成果顯著。針對本課題難點一一碳化硅MOSFET芯片研究部分，湖南大學團隊在設計過程中，大膽地摒棄了傳統(tǒng)的平面柵結(jié)構(gòu)，提出了場板分離型SiC MOSFET的新型結(jié)構(gòu)，泰科天潤則突破了高質(zhì)量柵氧處理、表面鈍化、高溫變能多次離子注入等工藝難點，基于其在長沙的6寸碳化硅晶圓產(chǎn)線完成流片工作。泰科天潤的工程團隊展現(xiàn)了深厚的碳化硅工藝能力，批次流片的一致性和穩(wěn)定性得到了各專家的一致認可，為量產(chǎn)打下堅實的基礎。

由于引入了場板分離型的分裂柵結(jié)構(gòu)，芯片具有更低的反向傳輸電容（Crss）,高頻優(yōu)值HF-FOM [RON × Crss]接近國外先進水平，較之傳統(tǒng)平面柵結(jié)構(gòu)器件指標數(shù)值明顯改善。經(jīng)電學特性測試結(jié)果顯示5mm × 5mm的SiC MOSFET芯片導通電阻為17.1mΩ，與國際SiC龍頭企業(yè)國外大廠W類似產(chǎn)品的導通電阻一致或略優(yōu)。同時本次流片后的芯片總面積小于市場上同類產(chǎn)品（26mm2），能有效降低器件制造成本。在VDS=800V/IDS=50A的工況下實測發(fā)現(xiàn)本批次芯片開關性能有所提升，關斷損耗為0.35mJ，在同一工況下比國外大廠W同類產(chǎn)品的關斷損耗（0.42mJ）低17%，將有效提升電能變換效率，體現(xiàn)在如新能源汽車的下游應用中，將有助于提升電動汽車的續(xù)航里程。

項目整體進度領先預期時效，取得以上階段性成果，為最終攻堅成功打下了良好基礎。接下來各方將繼續(xù)深化合作，持續(xù)優(yōu)化提升SiC 器件性能，提高制備工藝的穩(wěn)定性，爭取盡快實現(xiàn)相關產(chǎn)品的穩(wěn)定量產(chǎn)，進一步提升我省在第三代半導體產(chǎn)業(yè)領域的影響力。